CIP-2021 : H01L 31/075 : siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN,
p. ej. células solares de sílice amorfo PIN.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/075 · · · siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PIN, p. ej. células solares de sílice amorfo PIN.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Celda solar con sustrato corrugado flexible y método para la producción de la misma.
(01/07/2020) Un transductor fotoeléctrico que comprende:
un sustrato constituido por una hoja o banda elástica flexible, incluyendo el sustrato una superficie posterior plana y una superficie frontal con un patrón de superficie de una pluralidad de porciones de superficie elevadas y deprimidas repetidas que se extienden en al menos una dirección; sobre la misma, un electrodo del lado posterior (2, A) dispuesto en la superficie frontal del sustrato y que se adapta en forma a la superficie frontal del sustrato; sobre el mismo,
una capa fotoeléctrica activa que se adapta en forma a la superficie frontal del sustrato y que tiene el patrón de partes de superficie elevadas y deprimidas repetidas que se extienden…
Diodo bipolar con absorbedor óptico de estructura cuántica.
(12/02/2019) Un elemento constructivo semiconductor bipolar de al menos cinco capas que convierte la luz en corriente eléctrica, para lo cual se inserta una heteroestructura en una unión PN, es decir, previéndose capas de manera,
a) que la primera capa se componga de un material semiconductor dopado tipo p con una separación de banda X,
b) que la segunda y la cuarta capa se compongan de un material con una separación de banda Y mayor y presenten un grosor que permita tunelizar los portadores de carga,
c) que la tercera capa se componga de un material con una menor separación de banda Z y de un material con una elevada absorción de luz, y
d) que la quinta capa se componga de un material semiconductor dopado tipo n con una separación de banda X, de modo que entre…
Célula solar que incluye nanocable de silicio y método para fabricar la célula solar.
(23/01/2019). Solicitante/s: Korea Institute Of Industrial Technology. Inventor/es: LEE, SUK HO, JEONG,CHAEHWAN, JEON,MINSUNG, KIM,JIN HYEOK, KO,HANG JU.
Una célula solar que comprende:
un sustrato,
una primera capa de poli-Si del tipo ++ formada sobre el sustrato,
una capa de nanocables de silicio del primer tipo que incluye un nanocable de silicio del primer tipo que crece desde la primera capa de poli-Si del tipo ++,
una capa intrínseca formada sobre el sustrato que tiene la capa de nanocables de silicio de primer tipo, y una capa de dopaje del segundo tipo formada sobre la capa intrínseca, dicha capa de dopaje del segundo tipo teniendo un nivel de impureza menor que la primera capa de poli-Si del tipo ++,
en donde el nanocable de silicio del primer tipo tiene una longitud en un intervalo de 2 a 5 μm y un diámetro en un intervalo de 1 a 5 nm.
PDF original: ES-2717141_T3.pdf
Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada.
(30/11/2016) Un fotodiodo PIN que comprende:
una primera capa semiconductora tipo p;
una capa semiconductora tipo n;
una segunda capa semiconductora tipo p dispuesta entre la primera capa semiconductora tipo p y la capa semiconductora tipo n de tal manera que el segundo semiconductor tipo p está directamente adyacente a la capa semiconductora, teniendo la segunda capa semiconductora tipo p una concentración de dopaje graduada;
un sustrato , creciendo la capa semiconductora tipo n sobre el sustrato ;
una capa de ánodo para recolectar agujeros;
una capa de cátodo para recolectar electrones;
en el que la concentración de dopaje graduada define una primera concentración adyacente a la primera capa semiconductora…
Elemento de conversión fotoeléctrica.
(16/12/2015) Un dispositivo de conversión fotoeléctrica que comprende:
una capa p;
una capa n;
una capa i dispuesta entre la capa p y la capa n;
un primer electrodo conectado a la capa p; y
un segundo electrodo conectado a la capa n;
en el que la capa i comprende: una capa de pared constituida por un primer semiconductor; y
una parte de estructura cuántica constituida por un segundo semiconductor y dispuesta en la capa de pared;
una banda prohibida del primer semiconductor es más ancha que la del segundo semiconductor;
está contenida una impureza de tipo p en una zona en el lado de la capa n de la capa i, y/o está contenida una impureza de tipo n en una zona en el lado de la capa p…
Célula fotovoltaica de heterounión con doble de dopaje y procedimiento de fabricación.
(25/12/2013) Célula fotovoltaica que comprende una heterounión entre un sustrato semiconductor cristalino de un primer tipo de conductividad y una primera capa amorfa , sobre una primera cara del sustrato, del mismo material semiconductor y de un segundo tipo de conductividad, opuesto al primero y que presenta un nivel de dopaje comprendido entre 1.1019 y 1.1022 átomos/cm3, estando recubierta la segunda cara del sustrato, opuesta a la primera cara, por una tercera capa amorfa del mismo material que el sustrato y del mismo tipo de conductividad, con un nivel de dopaje comprendido entre 1.1019 y 1.1022 átomos/cm3, caracterizada porque comprende además una segunda capa amorfa del mismo tipo de conductividad que la primera capa y que presenta un nivel de dopaje comprendido…
Convertidor fotoeléctrico apilado.
(31/05/2013) Un dispositivo de conversión fotoeléctrica del tipo capa apilada que comprende una pluralidad de unidades deconversión fotoeléctrica apiladas sobre un sustrato , cada una de las cuales incluye una capa del tipo deconductividad única , una capa de conversión fotoeléctrica del semiconductor sustancialmenteintrínseco, y una capa del tipo de conductividad opuesta en este orden desde un lado de incidencia de luz,en donde
por lo menos una de dicha capa del tipo de conductividad opuesta en una unidad de conversión fotoeléctrica deprimer nivel delantera se dispone más cerca al lado de incidencia de luz y dicha capa del tipo de conductividadúnica…
CELULA SOLAR DE HETEROCONTACTO CON GEOMETRIA INVERTIDA DE SU ESTRUCTURA DE CAPAS.
(03/12/2010) - Célula solar de heterocontacto en estructura de ca- pas con un absorbedor de material semiconductor cristalino dopado tipo p o n, un emisor de un material semiconductor amorfo dopado en sentido contrario al absorbedor, una capa intermedia intrínseca de un material semiconductor amorfo entre el absorbedor y el emisor, una capa de cubierta sobre el lado del absorbedor vuelto hacia la luz, una capa que forma un campo de superficie reflectante de portadores de carga minoritaria, una estructura de contactado óhmico con una superficie minimizada de producción de sombra en el lado del absorbedor vuelto hacia la luz…
METODO DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS EN SERIE CON RENDIMIENTO MEJORADO Y DISPOSITIVOS FABRICADOS POR ESTE METODO.
(01/03/2007). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C..
EL GROSOR DE LAS CAPAS INTRINSECAS (20A,20B,20C) DE LAS CELULAS (18A,18B,18C), QUE COMPRENDEN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO EN SERIE , SON SELECCIONADAS DE MANERA QUE LA CELULA TIENE EL MATERIAL SEMICONDUCTOR DE MAYOR CALIDAD QUE PRODUCE LA FOTOCORRIENTE MAS PEQUEÑA. ESA CELULA SERA ENTONCES LA CELULA DOMINANTE EN EL DISPOSITIVO EN SERIE, Y SUS PROPIEDADES MATERIALES CONTRIBUIRAN DE MANERA DESPROPORCIONADA A LAS PROPIEDADES TOTALES DEL DISPOSITIVO EN SERIE.
PROCEDIMIENTO DE FABRICACION DE UNA CELULA FOTOVOLTAICA DE SILICIO Y CELULA OBTENIDA POR LA REALIZACION DE ESTE PROCEDIMIENTO.
(16/02/2007). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITE DE NEUCHATEL. Inventor/es: MEIER, JOHANN, KROLL, ULRICH.
LA INVENCION SE REFIERE A UN DISPOSITIVO PROVISTO DE UNA CAMARA DE DEPOSICION QUE TIENE DOS ELECTRODOS ; UNO DE ELLOS INCLUYE UN SOPORTE PARA UN SUSTRATO Y ESTA CONECTADO A TIERRA, MIENTRAS QUE EL OTRO ESTA CONECTADO A UN GENERADOR ELECTRICO DE RADIOFRECUENCIA . EL DISPOSITIVO POSEE MEDIOS PARA EXTRAER EL GAS DE LA CAMARA Y MEDIOS DE ALIMENTACION DE GAS . ESTE DISPOSITIVO COMPRENDE ADEMAS MEDIOS DE DEPURACION DE LOS GASES INTRODUCIDOS EN LA CAMARA PREPARADOS PARA REDUCIR EL NUMERO DE ATOMOS DE OXIGENO CONTENIDOS EN EL GAS DE DEPOSITO, QUE ESTA FORMADO POR SILANO, HIDROGENO, ARGON O LAS TRES COSAS. EL METODO CONSISTE EN HACER EL VACIO EN LA CAMARA DE DEPOSITO , PURIFICAR EL GAS CON LOS MEDIOS DE DEPURACION , INTRODUCIR ESTOS GASES PURIFICADOS EN LA CAMARA Y GENERAR UN PLASMA ENTRE LOS ELECTRODOS . DE ESTE MODO SE DEPOSITA EN EL SUSTRATO UNA CAPA DE SILICIO MICROCRISTALINO INTRINSECO.
PROCEDIMIENTO CVD-PLASMA Y DISPOSITIVO PARA LA PRODUCCION DE UNA CAPA SI:H MICROCRISTALINA.
(01/09/2003). Solicitante/s: SCHOTT,GLAS. Inventor/es: BAUER, STEFAN, LOHMEYER, MANFRED, DANIELZIK, BURKHARD, MIHL, WOLFGANG, FREITAG, NINA.
Procedimiento CVD-plasma para la producción de una capa microcristalina de Si:H sobre un sustrato, que comprende los pasos: 1.1 revestimiento por CVD asistido por plasma, de al menos una capa de Si:H delgada amorfa sobre el sustrato, 1.2 tratamiento asistido por plasma de la capa amorfa de Si:H con un plasma de hidrógeno, transformándose la capa amorfa de Si:H en una capa de Si:H microcristalina y 1.3 opcionalmente, repetición de los pasos 1.1 y 1.2, caracterizado porque el revestimiento o el tratamiento se lleva a cabo en un flujo continuo de los gases de revestimiento o de los gases de tratamiento y por medio de radiación electromagnética pulsante, que activa el plasma.
ELEMENTO FOTOVOLTAICO Y METODO DE PRODUCCION DEL MISMO.
(01/07/2003) LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO QUE TIENE VARIAS UNIONES 'PIN', CADA UNA FORMADA POR UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO K, UNA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, COMPRENDIENDO CADA UNA UN MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE COMPRENDE UN ELEMENTO DEL GRUPO IV COMO COMPONENTE PRINCIPAL, TENIENDO EL ELEMENTO FOTOVOLTAICO UNA PRIMERA UNION 'PIN' QUE COMPRENDE CARBURO DE SILICIO MICROCRISTALINO (EN LO SUCESIVO REFERIDO COMO SIC MICROCRISTALINO) COMO COMPONENTE PRINCIPAL DE LA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I Y UNA SEGUNDA UNION DE 'PIN' QUE COMPRENDE SILICIO MICROCRISTALINO (EN LO SUCESIVO REFERIDO COMO SI MICROCRISTALINO)…
DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO CON UNION PIN QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA A-SIGE DE TIPO I CON UN PUNTO MAXIMO PARA EL CONTENIDO DE GE.
(16/07/1999) SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE COMPRENDE UN SUSTRATO Y UNA REGION LAMINAR ACTIVA SEMICONDUCTORA DE CLAVIJA DE UNION DISPUESTA SOBRE EL SUSTRATO.LA REGION LAMINAR COMPRENDE UNA LAMINA SEMICONDUCTORA TIPO-P COMPUESTA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CRISTALINO NO-UNICO TIPO-P,UNA LAMINA SEMICONDUCTORA TIPO-I COMPUESTA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CRISTALINO NO-UNICO TIPO-I, Y UNA LAMINA SEMICONDUCTORA TIPO-N COMPUESTA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR CRISTALINO NO-UNICO TIPO-N; Y SE CARACTERIZA POR (A) UNA LAMINA SEPARADORA QUE COMPRENDE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICONA CRISTALINA NO-UNICO CON APENAS ATOMOS DE GERMANIO SE INTERPONE ENTRE LAS LAMINAS SEMICONDUCTORAS TIPO-P Y TIPO-I,(B) UNA LAMINA SEPARADORA QUE COMPRENDE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DE SILICONA CRISTALINA NO-UNICO CON APENAS ATOMOS DE GERMANIO SE INTERPONE…
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CON CAPA DE SEPARACION INTRINSECA DEPOSITADA MEDIANTE RF.
(01/05/1997). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., BANERJEE, ARINDAM.
SE PRESENTA UN METODO PARA MANUFACTURAR DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS, DE PELICULA FINA DEL TIPO DE LOS QUE TIENEN UNA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA DISPUESTA ENTRE DOS CAPAS SEMICONDUCTORAS, CON CARGAS OPUESTAS. UNA CAPA SEPARADORA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR INTRINSECO SE DEPOSITA MEDIANTE RF EN LA UNION ENTRE UNA CAPA INTRINSECA DE BASE, DEPOSITADA MEDIANTE MICROONDAS Y UNA CAPA DE MATERIAL DOPADO. LA PILA PRODUCIDA MEDIANTE EL METODO DE LA INVENCION TIENE UNAS CARACTERISTICAS MEJORADAS SOBRE LAS PILAS QUE TIENEN CAPAS INTRINSECAS DEPOSITADAS MEDIANTE MICROONDAS SIN NINGUNA CAPA DE BARRERA.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION A BASE DE MICROONDAS.
(01/12/1996). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., BANERJEE, ARINDAM.
EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS MANUFACTURADOS POR UN PROCESO DE DEPOSICION POR MICROONDAS SE INCREMENTA DISPONIENDO UN CABLE DE DESVIO EN EL PLASMA ENERGIZADO DE MICROONDAS Y APLICANDO UN VOLTAJE POSITIVO DE APROXIMADAMENTE 100 VOLTIOS AL CABLE DURANTE SOLAMENTE UNA PARTE DEL TIEMPO EN EL CUAL ESTA SIENDO DEPOSITADA LA CAPA SEMICONDUCTORA INTRINSECA (12A, 12B).
ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO, QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO I, COMPRENDIENDO MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE CONTIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN UNA PROPORCION ATOMICA DEL 1 AL 40%.
(16/05/1996) UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO MEJORADA, QUE PRODUCE FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ POR LA UNION DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P, UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I CONTIENE UN ELEMENTO ELEGIDO DEL GRUPO QUE CONSTA DE UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y LOS CAMPOS DEL GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN Y UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE1-XTEX:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % Y LOS CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN, Y CONTENIENDO TAMBIEN LOS ATOMOS…
UN DISPOSITIVO FOTO VOLTAICO MEJORADO DE MULTIPLES PILAS QUE INCLUYE UNA ALEACION DE GERMANIO, ESTAÑO Y-O PLOMO.
(01/09/1986). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE MULTIPLES PILAS QUE INCLUYE UNA ALEACION DE GERMANIO, ESTAÑO Y PLOMO. CONSTA DE DOS PILAS FOTOVOLTAICAS DEPOSITADAS EN SERIE, ESTANDO DICHA PILAS FORMADAS DE TAL MODO QUE LAS FOTOCORRIENTES GENERADAS POR CADA PILA, A MEDIDA QUE LA LUZ PASA POR ELLAS, COINCIDEN MATERIALMENTE ENTRE SI. LA MAS BAJA DE DICHAS PILAS ESTA FORMADA POR UNA ALEACION AMORFA CONSTITUIDA POR UN MATERIAL PRIMARIO, SELECCIONADO ENTRE GERMANIO, ESTAÑO, PLOMO O SUS COMBINACIONES, Y POR AL MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, PARA LIGARSE CON EL MATERIAL PRIMARIO, PARA IMPEDIR QUE TODOS LOS CONTAMINANTES OCUPEN SITIOS DE LIGADURA Y PARA COORDINARSE EN UNA FORMA SUSTANCIALMENTE TETRAEDRICA CON ORBITALES HIBRIDOS. DE APLICACION EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS EN TANDEM.
UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO FORMADO DE MULTIPLES ZONAS DE ALEACIONES DE SEMICONDUCTOR DEPOSITADAS SOBRE UN SUSTRATO.
(16/04/1986). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
MEJORAS EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO DE MULTIPLES ZONAS DE ALEACIONES DE SEMICONDUCTOR DEPOSITADAS SOBRE UN SUSTRATO. INCLUYE: UNA PAREJA DE REGIONES DE ALEACION SEMI-CONDUCTORA BARNIZADA ; UN CUERPO DE ALEACION SEMI-CONDUCTORA INTRINSECA, QUE SE ENCUENTRA ENTRE LAS REGIONES DE ALEACION SEMI-CONDUCTORA BARNIZADAS, INCLUYENDO EL CUERPO INTRINSECO UNA PRIMERA REGION INTRINSECA (160A) Y UN ELEMENTO MEJORADOR DEL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO, UNA SEGUNDA REGION INTRINSECA (160B) QUE TIENE UN HUECO DE BANDA MAS ANCHO QUE EL HUECO DE BANDA DE LA PRIMERA REGION INTRINSECA, PARA MEJORAR EL VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO DEL DISPOSITIVO. ESTANDO FORMADA LA ALEACION SEMICONDUCTORA PARA UNA ALEACION AMORFA DE SILICIO Y FLUOR Y/O HIDROGENO.
UNA ALEACION AMORFA MEJORADA DE SEPARACION DE BANDAS ESTRECHA, PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS.
(01/11/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
METODO PARA HACER UNA ALEACION SEMICONDUCTORA AMORFA MEJORADA DE ESTRECHO INTERVALO DE BANDAS PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS. COMPRENDE: PROPORCIONAR UN MEDIO AMBIENTE QUE CONDUZCA A LA FORMACION DE LA COORDINACION TETRAEDRICA; EXCITAR UN MATERIAL PRIMARIO SELECCIONADO; EXCLUIR MATERIALMENTE DEL MEDIO AMBIENTE A LOS CONTAMINANTES QUE PUEDAN COMPETIR CON EL ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS, EXTINGUIR LA ENERGIA DE EXCITACION Y SUPRIMIR LA DURACION DE LOS RADICALES LIBRES; FORMAR UNA REGION DE DEPOSICION DENTRO DEL MEDIO AMBIENTE CONDUCTOR, SUMINISTRAR UN SUSTRATO EN LA REGION DE DEPOSICION; INCLUIR EL MATERIAL PRIMARIO EXCITADO Y LOS RADICALES LIBRES DE DENSIDAD DE ESTADO EN LA REGION DE DEPOSICION, DE TAL FORMA QUE AL MENOS UN ELEMENTO REDUCTOR DE LA DENSIDAD DE ESTADOS Y EL MATERIAL PRIMARIO SE DEPOSITEN SOBRE EL SUSTRATO PARA FORMAR UNA ALEACION DE COORDINACION TETRAEDRICA CON ORBITALES HIDRICOS.
UN METODO PARA ACTIVAR UN POTENCIAL Y LUEGO ELIMINAR LAS TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO ACTIVADAS Y EXISTENTES.
(01/03/1985). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
METODO PARA ACTIVAR UN POTENCIAL Y ELIMINAR LAS TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO ACTIVADAS.CONSISTE EN: A) APLICAR UNA POLARIZACION AL DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO QUE TIENE: UNA REGION SEMICONDUCTORA POR ENCIMA DE UN SUSTRATO Y CON UNA SUPERFICIE DE INTERFAZ OPUESTA AL SUSTRATO, Y UNA CAPA DE UN MATERIAL CONDUCTOR TRANSMISOR DE LA LUZ, POR ENCIMA DE LA SUPERFICIE DE INTERFAZ DE LA REGION SEMICONDUCTORA, PARA CONVERTIR LOS DEFECTOS POTENCIALES LATENTES EN TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO EXISTENTES; Y B) AUMENTAR CONSIDERABLEMENTE LA RESISTIVIDAD DE LAS TRAYECTORIAS DE CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO DE MANERA SELECTIVA EN LA SUPERFICIE DE INTERFAZ DE LA REGION SEMICONDUCTORA.
